Badih Assaf助理教授应邀来我院做学术报告

时间:2019-05-29   浏览:79

本网讯(李惠 程良才)524日下午,助理教授Badih Assaf博士应邀来我院做了题为Topological crystalline insulators in the extreme quantum limit”的学术报告,李惠教授主持报告会。

会上,Badih Assaf博士从能带结构理论出发,介绍了普通绝缘体与拓扑绝缘体能带结构的异同,并结合晶体结构对称性,引出拓扑晶体绝缘体的概念。随后,Badih Assaf博士介绍了实验上通过Sn掺杂实现从普通绝缘体PbSe到拓扑晶体绝缘体Pb1-xSnxSe的转变,同时介绍了拓扑晶体绝缘体Pb1-xSnxSe的在低温、强磁场环境下的磁光性质以及量子极限下的负磁阻特性。最后,结合最近的理论计算结果,Badih Assaf博士Pb1-xSnxSe中负磁阻出现的可能机制进行了详细讨论。

Badih Assaf博士作报告)

报告后,Badih Assa博士还与在场的师生就拓扑材料样品的制备、磁光测试技术以及负磁阻特性的产生机制等问题进行了深入的交流。我院量子材料与物理研究所的师生一起参加了报告会。

Badih A. Assaf博士于20142018年在法国巴黎高等师范学院从事博士后研究主要研究领域包括低维拓扑材料的生长、拓扑材料的磁电输运与磁光特性。